Việc sử dụng thiết bị DUV đã tác động lớn đến công ty bán dẫn lớn nhất Trung Quốc SMIC. Mặc dù trước đây công ty này đã sản xuất thành công wafer 5nm, nhưng việc sản xuất hàng loạt vẫn bị ảnh hưởng từ chi phí cao và năng suất thấp. Những trở ngại này cũng ảnh hưởng tiêu cực đến Huawei, công ty không thể vượt qua ngưỡng 7nm. Với lệnh trừng phạt của Mỹ cấm ASML cung cấp cho TQ máy EUV 'hiện đại', con đường duy nhất cho TQ chính là tự lực cánh sinh sản xuất nội bộ. Theo báo cáo mới nhất, những tham vọng đó được hiện thực hóa với việc sản xuất thử nghiệm máy quang khắc EUV dự kiến sẽ bắt đầu vào quý 3 năm 2025.
Những máy quang khắc EUV tùy chỉnh này được cho là sử dụng plasma phóng điện cảm ứng bằng laser (LDP), hơi khác so với plasma do laser sản xuất (LPP) của ASML. Dưới đây, chúng tôi thảo luận về tác động mà sự thay đổi công nghệ này sẽ mang lại.
Sản xuất toàn diện các máy EUV này chính xác là kho vũ khí mà Trung Quốc cần để giảm sự phụ thuộc từ Hoa Kỳ mà còn để có được lợi thế cạnh tranh. Hình ảnh được chia sẻ bởi X tài khoản @zephyr_z9 và @Ma_WuKong cho thấy một hệ thống mới đang được thử nghiệm tại cơ sở Đông Quan của Huawei. Một báo cáo trước đó đã đề cập rằng một nhóm nghiên cứu từ Harbin Provincial Innovation đã phát triển một nguồn sáng quang khắc cực tím plasma phóng điện.
Nguồn này có thể sản xuất đèn EUV có bước sóng 13,5nm, đáp ứng nhu cầu của thị trường quang khắc. Theo hệ thống mới hiện đang được thử nghiệm tại một trong các cơ sở của Huawei, LDP được sử dụng để tạo ra bức xạ EUV 13,5nm. Quá trình này bao gồm việc làm bay hơi thiếc giữa các điện cực và chuyển đổi nó thành plasma thông qua quá trình phóng điện áp cao, với các va chạm electron-ion tạo ra bước sóng cần thiết. Phương pháp này khác với LPP (laser-produced plasma) của ASML như thế nào?
Gã khổng lồ có trụ sở tại Hà Lan dựa vào các tia laser năng lượng cao và các điều khiển dựa trên Mảng cổng lập trình trường phức tạp. Dựa trên báo cáo sản xuất thử nghiệm, nguyên mẫu đang được thử nghiệm tại cơ sở Huawei tận dụng plasma phóng điện do laser tạo ra được cho là có thiết kế đơn giản hơn và nhỏ hơn, đồng thời tiêu thụ ít điện năng hơn và chi phí sản xuất thấp hơn. Trước khi các thử nghiệm này bắt đầu, Trung Quốc và SMIC vẫn tiếp tục dựa vào máy móc DUV cũ hơn.
Các hệ thống quang khắc DUV thế hệ cũ dùng bước sóng 248nm và 193nm, kém hơn đáng kể so với bức xạ 13,5nm của EUV. SMIC sẽ phải dựa vào việc đạt được nhiều bước tạo mẫu để có được các nút tiên tiến, điều này không chỉ làm tăng chi phí sản xuất wafer mà còn là một quá trình tốn thời gian dẫn đến hóa đơn khổng lồ. Người ta ước tính rằng chip 5nm của SMIC sẽ đắt hơn 50 % so với TSMC khi được sản xuất trên cùng một công nghệ quang khắc, điều này giải thích tại sao công nghệ này vẫn chưa được ứng dụng.
Hiện tại, Huawei chỉ giới hạn ở việc phát triển chipset Kirin trên quy trình 7nm, trong khi gã khổng lồ Trung Quốc trước đây chỉ giới hạn ở việc thực hiện những điều chỉnh nhỏ để làm cho các SoC tiếp theo của mình có khả năng hơn một chút so với các thế hệ trước.
Với sự phát triển này, Huawei có thể thu hẹp đáng kể khoảng cách giữa Qualcomm và Apple, nhưng chúng tôi nhận thấy một mô hình mà các công ty như vậy gặp nhiều rào cản hơn là sự tiến triển lành mạnh. Hy vọng rằng cả Huawei và Trung Quốc sẽ vượt qua những khó khăn này và mang lại sự cạnh tranh rất cần thiết.
